Модуль - М10-300-12-М1

1. НАЗНАЧЕНИЕ И ВЫПУСКАЕМЫЕ МОДУЛИ

IGBT-модули в конструктивном исполнении «М1» представляют собой сборки IGBT- транзисторов и БВД-диодов предназначенные для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей с максимальным пиковым напряжением до 1700 В и постоянным током до 300 А. IGBT-модули представлены следующими исполнениями:

М9.1 – последовательно соединенные транзистор и диод (общий катод – коллектор). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М10 – нижний ключ. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного  тока  150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М11 – верхний ключ. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного  тока  150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М12 – два последовательно включённых IGBT-транзистора (полумост). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М12.1 – два встречно включённых IGBT-транзистора (общий эмиттер). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13А1 – три полумоста. Модуль выпускается с максимальным постоянным током 50 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13А4 – Н-мост и чоппер. Модуль выпускается с максимальным постоянным током 50 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13Б – Н-мост. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 50,100,150 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13Б1 – косой мост. Модуль выпускается с рядом  максимального  постоянного  тока  50,100,150 А с пиковым напряжением 1200 В.

В зависимости от исполнения модули изготавливаются в конструктивах, представленных в таблице 1.1. Модули изготавливаются только в тех исполнениях, где при пересечении строки класса модуля и столбца тока указан соответствующий данному исполнению рисунок габаритного чертежа.

Таблица 1.1 – Выпускаемые IGBT-модули и соответствующие им габаритные чертежи

На рисунке 1.1 приведена расшифровка названия модулей.

Рисунок 1.1 – Расшифровка названия модулей

Например, модуль М12-200-12-М1: полумост с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, максимально допустимым постоянным током 200 А исполнения М1.